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[시사코리아저널/포항.이준형기자]2008년 여름, 통신위성이나 군사용 제품에 사용되는 갈륨비소(GaAs) 반도체를 이용해 도핑 원자* 특성을 연구하던 이동헌 씨(당시 오하이오주립대 박사과정)는 원자가 하나 빠져 있는 격자점을 찾아냈다.
이른바, ‘불량’ 반도체였다. 시험 삼아 이 격자점에 옆 원자를 밀어넣자, 마치 퍼즐 장난감처럼 빈 격자점의 위치가 계속 바뀌며 원자의 위치가 아예 다시 배열되는 것을 발견한 이 씨는 불량반도체를 오히려 새로운 고성능의 반도체 개발에 적용할 수 있다는 사실을 깨달았다.
이 원자중 하나가 공정 상 실수로 빠지는 결함은 반도체 성능을 떨어뜨려 불량 반도체의 원인이 되는데, 연구팀은 이 반도체의 원자가 빠진 자리를 퍼즐처럼 이용해 원자를 재배치하는 한편, 원자가 빠진 자리는 전하를 띠게 되어 각 원자 간의 결합에너지*에도 영향을 미친다는 사실을 밝혀냈다.
이 방법을 응용하면 동일한 원자라도 다른 특성을 갖는 원자로 조절할 수 있게 되며 기존 반도체 기술을 향상하는 것은 물론, 새로운 패러다임의 신소자 개발에도 유용하게 활용될 것으로 기대되고 있다.
특히 반도체 소자의 크기가 작아질수록 각 원자의 특성 조절이 중요해지면서 이번 연구처럼 원자 하나하나의 특성을 조절하는 기술의 필요성도 커질 것으로 전망되고 있다.
또, 이번 연구는 경쟁적으로 연구되고 있는 컴퓨터의 CPU와 RAM을 하나의 소자로 결합해 전력손실이 적고 재부팅도 필요없는 컴퓨터 개발에도 큰 실마리를 제공할 것으로 보인다.
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